下一代存储设备将由质子供电
超低功耗、大容量计算机芯片的开发基于允许多个铁电相变的质子驱动方法。
由阿卜杜拉国王科技大学领导的一个国际团队发现，在铁电材料内产生多个相变的质子介导方法有助于开发高性能存储器，包括大脑启发或神经形态计算芯片。 该论文发表在《科学进展》上。
硒化铟等铁电体是本质极化材料，如果置于电场中，它们会改变极性。 这使它们成为存储技术的理想选择。 由此产生的存储器件不仅电压低，而且具有优异的读/写耐久性、写入速度和最大存储容量。 何鑫表示，这是因为现有方法只能触发少数铁电相，捕获它们是一项实验挑战。
来源和详细信息：
https://phys.org/news/2023-07-protons-power-next-generation-memory-devices.html